NXP MRFX1k80H
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NXP MRFX1k80H
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NXP MRFX1k80H
Der MRFX1K80 HF-LDMOS-Leistungstransistor von NXP Semiconductors kombiniert hohe HF-Ausgangsleistung mit überlegener Robustheit und thermischer Leistungsfähigkeit.
Der Transistor MRFX1K80 ist für den Einsatz von 1800 W bei 65 V CW (Kontinuierliche Welle) für Applikationen von 1 MHz bis 470 MHz ausgelegt und kann mit einem Spannungs-Stehwellenverhältnis von 65:1 (VSWR) arbeiten bei gepulster Leistung.
Merkmale
- Based on 65V LDMOS technology
- Wide 1MHz to 470MHz frequency range
- Characterized from 30V to 65V for extended power range
- High breakdown voltage for enhanced reliability and higher efficiency architectures
- High drain-source avalanche energy absorption capability
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
- Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
- VSWR >65:1 at all phase angles
- 24dB power gain @ 230MHz (typical)
- 74% Efficiency (typical)
- Low thermal resistance
- RoHS compliant
.
Hersteller:
Nach EU 2023/988 Produktsicherheitsverordnung (GPSR)
DP-AMP Christian Dindas Addresse: Ötzstr.2 85457 Wifling www@dp-amp.de, www.dp-amp.de
NXP Semiconductors N.V. - High Tech Campus 60 5656 AG Eindhoven Niederlande - +31 40 272 9111
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Verantwortliche Person:
DP-AMP Christian Dindas - Ötzstr.2 85457 Wifling - www@dp-amp.de
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2561-028
95 Artikel
Technische Daten
- RoHS konform Richtlinie 2011/65/EU
- Ja
NXP MRFX1k80H